Академия ИСКРА - объединение искателей Истины.

Когда власть захватывают грабители, мошенники и воры, то последующие грабежи осуществляются уже "по закону". ©

Парольный вход для авторов.

автор: c до
новые статьи
Учёные разработали 3-нм транзистор
Автор: Сергей Черняк      Дата: 03.06.2019 22:59


Учёные разработали 3-нм транзистор      Группа китайских исследователей из Института микроэлектроники китайской академии наук разработала транзистор, который можно будет выпускать в рамках 3-нм техпроцесса
     
     В отличие от 3-нм структуры транзистора Samsung, предполагающей переход на полностью окружённые затворами каналы в виде наностраниц, «китайский» 3-нм транзистор выполнен в виде каналов из вертикальных FinFET-рёбер, окружённых затворами только с трёх сторон.
     
     Другое отличие китайской разработки заключается в материале, из которого изготавливается транзистор. Это ферроэлектрик, и в этом суть изобретения. На него уже выдан патент.
     
     Проблема при изготовлении 3-нм транзистора даже не в том, что его размеры становятся слишком маленькими (сравнимыми, например, с нитью ДНК). Препятствием для уменьшения размера транзистора является так называемая больцмановская тирания (Boltzmann Tyranny). Это фундаментальное ограничение, которое сопровождается снижением рассеивания мощности в процессе работы электронного прибора. После определённого уменьшения размера транзистора он перестаёт рассеивать рабочее тепло и, следовательно, сгорает. Чтобы этого не произошло, необходимо снижать питание, но ниже порогового значения опуститься нельзя. Это противоречит физике процессов в полупроводниках. И тогда на помощь приходят ферроэлектрики. Теоретически известное и парадоксальное явление в ферроэлектриках, как отрицательная ёмкость.
     
     Устойчивый отрицательный конденсатор впервые представлен физически всего лишь два неполных месяца назад. Но это явление предсказывалось давно и даже воспроизводилось экспериментально, но с соблюдением строго заданных условий. По мере роста напряжения ёмкость не увеличивается, а уменьшается. Это позволит снизить напряжение питания ниже порогового значения. Китайские разработчики сумели воплотить эффект отрицательной ёмкости в конструкции 3-нм транзистора. Если верить поставленным экспериментам, напряжение питания транзисторов удалось снизить в два раза по сравнению с теоретическим минимумом.
     
     На следующем этапе китайские учёные намерены создать техпроцессы для коммерческого внедрения разработки. Однако они соглашаются, что на это уйдёт несколько лет. Для поощрения процесса китайские власти готовы освободить компании, желающие заняться внедрением разработки, от уплаты налога сроком на 5 лет.
     
     
     
     инвестиции в интернет проекты
     


Автор: Сергей Черняк прочтений: 565 оценки: 0 от 0
© Свидетельство о публикации № 27340
  Цена: 1 noo



Ваши комментарии

Пароль :

Комментарий :

Осталось символов

обсуждаемые публикации
20.03.2018 19:51 Ноодинамика (или моя атака на стандартную модель). Артур Фролов Новая идея. Весь материал

23.11.2013 10:13 Истина и волновая функция. Артур Фролов Физикам на заметку. Весь материал

23.11.2013 10:13 Гравитирующая сфера-наиболее вероятное устройство нашей Вселенной. Артур Фролов Физикам на заметку. Весь материал

29.6.2013 10:13 Гравитационная инверсия и отказ от информации. Артур Фролов Две концепции устройства реальности. Весь материал

14.6.2013 17:9 Билли Миллиган: 24 личности в одном теле Артур Фролов Весь материал

31.10.2012 19:26 Гипотеза о дисперсии социума (терминология). Артур Фролов Весь материал

9.1.2013 23:32 Гипотеза о БиН (постановка задачи) Артур Фролов Гипотеза о БиН является мостиком между естеcтвенными и общественными науками Весь материал

6.1.2013 20:27 Преобразования в гипотезе о Б&Н Артур Фролов Гипотеза о быдле и небожителях становится прикладной наукой Весь материал

3.5.2013 12:54 Контуры нового мира. Артур Фролов Весь материал

14.1.2013 16:31 Задача по физике для городской школьной олимпиады Редакция Весь материал

2.12.2012 15:51 О красном смещении и о физическом смысле в физике. Артур Фролов Весь материал

Доступна с мобильного телефона
Чат
Опросы
Музыка
Треки
НеForМат
Академия
Целит


О сервере


О проекте
Юмор
Работа
О нас

Для контактов
skype:noo.inc


Ukraine NBU Hrivnya rate
Russian ruble rate
Noo Web System



Редакция за авторские материалы ответственности не несет
стать автором

Идея и разработка
компании NOO
На сайт разработчика