|
| |||||||||
Автор: Станислав Власенко Дата: 02.02.2010 23:12 САНТА-КЛАРА (Калифорния), БОЙСЕ (Айдахо), 1 февраля 2010 г. –Intel и Micron Technology* объявили о запуске 25-нанометровой (25-нм) технологии производства NAND-памяти, которая позволяет снизить производственные издержки и увеличить емкость хранилищ данных популярных потребительских устройств – смартфонов, медиаплееров и твердотельных накопителей. Флэш-память NAND используется для хранения пользовательских файлов в потребительской электронике. Данные сохраняются и при выключенном электропитании. Уменьшение топологии чипов NAND позволяет расширять сферу применения этого типа памяти. 25-нм технологический процесс является не только наименьшим при изготовлении микросхем NAND, но и наиболее прогрессивным сегодня в полупроводниковой индустрии в целом. Это достижение позволяет увеличить количество музыкальных, видеофайлов и других данных, хранящихся в карманных устройствах и персональных компьютерах. IM Flash Technologies* (IMFT), совместное предприятие Intel и Micron* по выпуску флэш-памяти, приступило к производству модулей NAND емкостью 8 ГБайт. Площадь решения составляет 167 мм2; оно помещается в отверстие в центре компакт-диска. Обладая такими размерами, модуль способен вместить данные 10 компакт-дисков емкостью 700 мегабайт каждый. Сконцентрировав инвестиции в разработку и исследования флэш-памяти, Intel и Micron* получили возможность удваивать плотность NAND-чипов приблизительно каждые 18 месяцев. Этот процесс ведет к постоянному уменьшению размеров продукции, повышению ее емкости и снижению производственных затрат. Сегодня, с переходом на 25-нм процесс, компании улучшают производственный цикл и укрепляются на рынке в качестве инноваторов, предлагая наименьший размер ячеек памяти в индустрии. В настоящее время ведутся поставки тестовых образцов 8-гигабайтных модулей 25-нм NAND-памяти. Серийное производство планируется во II квартале 2010 г. Устройство использует многоуровневую структуру ячеек (MLC) с хранением в каждой двух битов данных. Решение помещается в стандартный тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами (TSOP). В новом модуле число чипов, по сравнению с решениями на базе техпроцессов предыдущих поколений, сокращено на 50%. Это позволяет конструировать еще более вместительные решения с меньшим коэффициентом производственных затрат. Для увеличения емкости производитель может использовать несколько модулей. Например, один SSD емкостью 256 ГБайт можно содержать 32 новых модуля вместо 64; для 32 Гбайтного хранилища в смартфоне требуется 4 модуля, а для 16-гигабайтной карты памяти – всего два. Автор: Станислав Власенко
прочтений: 1203 оценки: 0 от 0
© Свидетельство о публикации № 5654 Цена: 1 noo
Ваши комментарии |
|
23.11.2013 10:13 Истина и волновая функция. Артур Фролов Физикам на заметку. 23.11.2013 10:13 Гравитирующая сфера-наиболее вероятное устройство нашей Вселенной. Артур Фролов Физикам на заметку. 29.6.2013 10:13 Гравитационная инверсия и отказ от информации. Артур Фролов Две концепции устройства реальности. 14.6.2013 17:9 Билли Миллиган: 24 личности в одном теле Артур Фролов 31.10.2012 19:26 Гипотеза о дисперсии социума (терминология). Артур Фролов 9.1.2013 23:32 Гипотеза о БиН (постановка задачи) Артур Фролов Гипотеза о БиН является мостиком между естеcтвенными и общественными науками 6.1.2013 20:27 Преобразования в гипотезе о Б&Н Артур Фролов Гипотеза о быдле и небожителях становится прикладной наукой 3.5.2013 12:54 Контуры нового мира. Артур Фролов 14.1.2013 16:31 Задача по физике для городской школьной олимпиады Редакция 2.12.2012 15:51 О красном смещении и о физическом смысле в физике. Артур Фролов |
Опросы Музыка Треки НеForМат Академия Целит О сервере О проекте Юмор Работа О нас Для контактов skype:noo.inc |
Редакция за авторские материалы ответственности не несет стать автором |
компании NOO |